從氧化鋅基礎到應用

        能帶結構描敘了帶電的單粒子狀況（即電子或空穴）。因為氧化鋅是一種直接帶隙半導體，即有球形極值點，能帶中價帶極大值和導帶極小值（VB和CB）在布里淵區(qū)中的相同點，即在K = 0的Г點，咱們首要對此區(qū)域感興趣。如上所述，最低的導帶是由Zn2+空的4s態(tài)或反鍵的sp3雜化態(tài)構成的。群理論的兼容性表以及其間參考資料）通知咱們，導帶底有不考慮自旋的Г1對稱性和考慮自旋的Г1×Г7=Г7對稱性。有用電子質(zhì)量（更精確地說極化子）簡直各向同性，其值大約為（0.28 ± 0.02）m0。
        氧化鋅源于O2-被占有的2p軌跡或捆綁SP3雜化軌跡的價帶若不計自旋，在六方晶體場的影響下被割裂成Г5和Г1兩種狀況?？紤]自旋后，因為自旋軌跡的耦合，能帶進一步割裂成三個兩階退化的對稱的亞價帶，（Г1+Г5）×Г7=Г7+Г9+Г7。這些價帶在所有的纖鋅礦結構的半導體（如ZnS, CdS, CdSe, or GaN）中從高能量到低能量被標為A，B，C能帶。在絕大多數(shù)情況下，能帶排序為AГ9, BГ7,C7，并且自旋軌跡割裂比晶體場割裂更大。但是，關于ZNO有長時間的爭辯，是否價帶的次序是一般的，仍是所謂“負自旋軌跡耦合”的AГ7, BГ9, CГ7次序，或倒置的價帶次序。

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